RS6R035BHTB1 与 BSC360N15NS3 G 区别
| 型号 | RS6R035BHTB1 | BSC360N15NS3 G | ||||||||
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| 唯样编号 | A32-RS6R035BHTB1-1 | A-BSC360N15NS3 G | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Nch 150V 35A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 73W | 74W | ||||||||
| 宽度 | - | 5.15mm | ||||||||
| 上升时间 | - | 6ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 12nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 12ns | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | PG-TDSON-8 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 35A | 33A | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 系列 | - | OptiMOS3 | ||||||||
| 长度 | - | 5.9mm | ||||||||
| 下降时间 | - | 4ns | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 9ns | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 41mΩ@35A,10V | 36mΩ | ||||||||
| 高度 | - | 1.27mm | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,500 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RS6R035BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55°C~150°C ±20V 150V 35A |
￥10.1901
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||
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BSC520N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
21A SuperSO8 -55°C~150°C N-Channel 150V 52mΩ 3V,2V,4V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSC360N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
150V 33A 36mΩ 20V 74W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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FDS86242 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC |
暂无价格 | 67,479 | 对比 | ||||||||||
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FDS86242 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC |
￥3.684
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1,735 | 对比 | ||||||||||
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FDS2582 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 66m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC |
￥4.716
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84 | 对比 |
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